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BD436G中文资料

功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:PowerFLAT 2 x 2
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更多BD436G供应商 更新时间:2019/9/20 17:53:00

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