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P60NF06 | N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：980.07 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
P60NF06 | N-channel60V-0.014廓-60ATO-220STripFETII??PowerMOSFET 文件：277.54 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
N-channel60V-0.014Ω-30ATO-220FPSTripFETII™PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwith STMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshas specificallybeendesignedtominimizeinput capacitanceandgatecharge.Itistherefore suitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecom andComputer | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：979.2 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION Suitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapplication.Itisalsointendedforanyapplicationwithlowgatechargedriverequirements. FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage:VDSS=6 | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-channel60V-0.014ohm-60A-DPAK Description ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel60V-0.014廓-60A-D2PAK/I2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET 文件：421.78 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
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ST |
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ST |
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ST |
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ST |
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ST |
23+ |
TO-220 |
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全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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ST |
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DIPSOP |
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原装进口现货,假一罚十 |
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ST/意法 |
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原装正品 |
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ST |
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TO220 |
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2019-2-19
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