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2SD835中文资料
2SD835产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD835
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
1305+ |
TO-220 |
12000 |
||||
TO-220 |
10000 |
全新 |
|||||
FUJI原装 |
13+ |
TO-220 |
1000 |
特价热销现货库存 |
|||
FJD |
23+ |
原厂原装 |
3000 |
全新原装 |
|||
FUJI |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FUJI原装 |
22+23+ |
TO-220 |
20026 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
23+ |
N/A |
45880 |
正品授权货源可靠 |
||||
FJD |
1746+ |
TO220 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
FUJI/富士电机 |
21+ |
TO-220 |
1000 |
原装现货 |
|||
FUJITSU/富士通 |
17+;19+ |
TO-220 |
88000 |
全新现货 |
2SD835 资料下载更多...
2SD835 芯片相关型号
2SD835 晶体管资料
2SD835别名：2SD835三极管、2SD835晶体管、2SD835晶体三极管
2SD835生产厂家：日本富士电机公司
2SD835制作材料：Si-N+Darl+Di
2SD835性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2SD835封装形式：直插封装
2SD835极限工作电压：400V
2SD835最大电流允许值：6A
2SD835最大工作频率：<1MHZ或未知
2SD835引脚数：3
2SD835最大耗散功率：40W
2SD835放大倍数：β>400
2SD835图片代号：B-10
2SD835vtest：400
2SD835htest：999900
- 2SD835atest：6
2SD835wtest：40
2SD835代换 2SD835用什么型号代替：BU806,BU910,BU911,BU912,2SD798,2SD799,2SD1114,2SD1245,
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- P80
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体产品股份有限公司
中文资料: 26397条
New Jersey Semiconductor has been 新泽西半导体公司 designing, manufacturing, and producing highly reliable electronic devices since 1957. Our 自1957年以来，设计、制造和生产高度可靠的电子设备。我们的 mission is to supply you with high quality, cost effective discrete devices for commercial, 我们的使命是为您提供高质量、低成本的商用分立设备， industrial,
