半导体晶体管SI7414DN-T1-E3 mosfet开关应用程序现在可以使用1 mΩ周围死在抗性和能力来处理85。虽然这些模具功能代表了一个重大的进步，就在几年前是可用的，这是重要的电力MOSFET封装技术跟上步伐。很明显，高性能模具的封装退化是不可取的。PowerPAK是一种解决这些问题的新包技术。PowerPAK 1212-8在一个小的封装中提供超低的热阻抗，非常适合空间受限的应用。在本应用程序说明中，描述了PowerPAK 1212-8的构造。在此之后，将显示挂载信息。最后，讨论了系统的热、电性能。
半导体晶体管SI7414DN-T1-E3 PowerPAK包PowerPAK 1212-8包(图1)是PowerPAK SO-8的派生版本。它采用相同的包装技术，最大限度地扩大模具面积。所述模附垫的底部暴露，以提供直接的、低阻的热路径到所述设备所安装的衬底。因此PowerPAK 1212-8将PowerPAK SO-8的优点转化为一个更小的包，具有相同的热性能水平。(请参阅应用说明“PowerPAK SO-8安装和热注意事项”。)
半导体晶体管SI7414DN-T1-E3 PowerPAK 1212-8的内存占用面积相当于TSOP-6。它比标准tssop8小40%以上。其模量是标准top -6的两倍以上。它的热性能比SO-8好一个数量级，比tssop8好20倍。其热性能优于目前市场上所有的SMT封装。它将利用任何PC板散热器的能力。与tssop8相比，降低结温还可使模具效率提高20%左右。对于那些通常只需要考虑热影响而需要更大封装的应用程序，PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。单和双PowerPAK 1212-8都使用与单和双PowerPAK SO-8相同的输出。较低的1.05 mm PowerPAK高度配置文件使得这两个版本都是有空间限制的应用程序的最佳选择。
PowerPAK 1212单片安装要充分利用单片PowerPAK 1212-8的热性能，请参阅应用程序注释826，建议Vishay Siliconix mosfts使用带有轮廓图访问的最小衬垫模式。单击本文档索引中的PowerPAK 1212-8。在这个图中，排水地面模式被给出，以便与PowerPAK包上的排水垫完全接触。此土地模式可以扩展到绘图模式的左侧、右侧和顶部。这种扩展将通过降低PowerPAK脚部到PC板的热阻，从而增加散热效果，从而降低环境温度。注意，增加排水面积超过一定的点将产生小的下降，在英尺到董事会和英尺到环境热电阻。实验发现，在特定的板形、铜重和层堆积条件下，在0.3 ~ 0.5 in2的范围外添加铜，对热工性能的改善甚微。
半导体晶体管SI7414DN-T1-E3
半导体晶体管SI7414DN-T1-E3 升温速率+ 6℃/秒最高温度155±15℃120秒最高温度180℃以上70 - 180秒最高温度240 + 5/- 0℃最高温度20 - 40秒下降速率+ 6℃/秒最高温度
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