NTR4501NT1G

时间:2019-12-30 11:00:00

NTR4501NT1G

NTR4501NT1G ON 20V 80mOhm 1.25W MOSFET-SOT-23优势原装现货

NTR4501NT1G产品详细规格

规格书 NTR4501NT1G datasheet 规格书

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS) 20V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.2A

Rds(最大)@ ID,VGS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 6nC @ 4.5V

输入电容(Ciss)@ Vds的 200pF @ 10V

功率 - 最大 1.25W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 3.2 A

RDS -于 80@4.5V mOhm

最大门源电压 ±12 V

典型导通延迟时间 6.5 ns

典型关闭延迟时间 12 ns

典型下降时间 3 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±12

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

标准包装名称 SOT-23

最低工作温度 -55

渠道类型 N

封装 Tape and_Reel

最大漏源电阻 80@4.5V

最大漏源电压 20

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 SOT-23

最大功率耗散 1250

最大连续漏极电流 3.2

引脚数 3

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.2A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

其他名称 NTR4501NT1GOSTR

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 1.25W

漏极至源极电压(Vdss) 20V

输入电容(Ciss ) @ VDS 200pF @ 10V

闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm

身高 0.94mm

长度 2.9mm

最大漏源电阻 0.08 Ω

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 1.25 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 2.4 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS 200 pF V @ 10

宽度 1.3mm

漏极电流(最大值) 3.2 A

频率(最大) Not Required MHz

栅源电压(最大值) ?12 V

输出功率(最大) Not Required W

功率耗散 1.25 W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.08 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

连续漏极电流 3.2 A

晶体管极性 :N Channel

Continuous Drain Current Id :3.2A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :80mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V

Threshold Voltage Vgs :1.2V

功耗 :1.25W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max :3.2A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :1.2V

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

associated IRLML2502TRPBF

PMV40UN215

IRLML6246TRPBF

 展望2020年,台湾电路板协会(TPCA)理事长李长明认为,受惠于5G高频高速通讯的带动,包含PCB的材料、制程、设备,整体供应链都将上升一个档次,如板子面积变大、层数增加、线路变细等,技术增加进而带动产品单价提高,看好5G相关产品持续增加,PCB也会在“质”与“量”上同步成长,预期2020年整体PCB产业产值较今年会持平略为成长。

  TPCA表示,2020年全球5G基地建设数量预估达到100~120万座,中国大陆即占有约60~80万座,含盖率逼近10%,除此之外5G智能型手机预估出货量将逼近2亿支,其中衍生的零组件商机十分庞大。

  “质”的需求促使高阶产品比重提升,5G应用由基地台建置、5G手机、终端通讯设备到最终各式5G应用场域,由于高频/高速讯号的工作环境,许多装置内的零组件均有规格上的明显升级,例如5G基站内的核心芯片,由于I/O数目及芯片面积大幅增加,高单价的ABF载板取代BT载板;基站天线单价也成长一倍以上。毫米波5G手机仅含PCB、射频元件、AiP(整合型天线封装)、相机模块成本就约100美元。

  “量”的增加形成厂商规模经济效益,预计到5G的时代,频段将会从目前4G时代的15个增为30个,每只手机的滤波器会从40个增为70个,Switch开关数量会亦由10个增为30个、PA数目亦会倍数增加、新衍生的AiP天线在手机端有3~5个,通讯设备端则多达20~25个。厂商相继增加资本支出的情形下,愈易形成大厂的规模经济效益。

鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

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公司部分现货:

TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。

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NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G

NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G

台积电、联电与力晶陆续前往中国大陆设置12吋晶圆厂,目前都还未达经济规模,营运全数亏损。 欧新社资料照

  台积电、联电与力晶陆续前往中国大陆设置12吋晶圆厂,目前都还未达经济规模,营运全数亏损。据统计,今年上半年合计亏损近100亿元(新台币,下同)。

  瞄准中国大陆市场快速成长商机,台湾晶圆代工厂纷纷前往中国大陆投资12吋晶圆厂;其中,联电是最早前进中国大陆设置12吋晶圆厂的厂商,位于厦门的12吋厂联芯早于2016年第4季便导入量产。

  力晶位于合肥的12吋厂晶合随后于2017年10月量产,台积电位于南京的12吋厂于2018年10月量产。

  联芯目前月产能1.8万片,以28奈米制程为主;晶合月产能约1.5万至2万片,以90奈米制程技术为主,主要生产面板驱动IC。台积电南京厂制程技术最先进,达16奈米,月产能约1.2万片。

  台积电南京厂、联芯与晶合都还未达经济规模,目前营运全数亏损,据台积电、联电与力晶财报资料显示,台积电南京厂上半年亏损22.92亿元新台币,联芯亏损52.34亿元新台币,晶合亏损23.09亿元新台币,合计亏损新台币98.35亿元。

  据台积电规划,南京12吋厂今年底月产能将扩增至1.5万片,明年将达到月产能2万片的初步目标。晶合月产能最大可达4万片规模,不过,将视市场实际需求扩产。

  联芯则以月产能2.5万片为初期目标,据内部估计,月产能若达到2.5万片规模,便有机会转亏为盈,只是目前尚无扩产至2.5万片的具体时间表。

AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N??hannel, SOT??3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N??hannel, SOT??3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-Channel MOSFET

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N??hannel, SOT??3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Power MOSFET 30 V, 6.7 A, Single N??hannel, ChipFET Package

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Power MOSFET 30 V, 6.7 A, Single N??hannel, ChipFET Package

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2024-4-27 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOT23
9580
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON
18+
SOT-23
562000
一级代理/全新现货/长期供应!
ON Semiconductor Corporation
23+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
ON
2019
SOT23
23100
原装正品钻石品质假一赔十
21+
SOP14
100000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON-安森美
22+
SOT-23
15000
原装优质现货订货渠道商
ON/安森美
SOT233
7906200
ON/安森美
23+
SOT23
13848
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ON/安森美
22+
SOT-23
8000
原装正品现货假一罚十
ON/安森美
21+
SOT23
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!