SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET
SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 850mV @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 -
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 57@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.6 A
抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 7 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 710 mW
上升时间 7 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2302CDS-GE3
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 710
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 57@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.71W
匹配代码 SI2302CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.075Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 850mV @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 710mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.057 Ω
最大功率耗散 0.71 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5
宽度 1.4mm
RDS（ON） 57 mOhms
漏极电流（最大值） 2.6 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.057 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.9A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :57mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :8V
Threshold Voltage Vgs :850mV
功耗 :710mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :2.9A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :850mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Voltage Vgs th Max :0.85V
Voltage Vgs th Min :0.4V
普通蓝牙音频设备只能实现1对1连接，包括普通的无线蓝牙耳机。而TWS耳机两个耳塞之间没有导线连接，在和手机连接时则需要实现1对2的连接。
苹果AirPods采用Snoop监听模式，即左右耳一起听，苹果对监听模式实现了专利封锁。早期其他TWS主要采用relay转发模式，音频从手机传到左耳（主设备），再由左耳转发到右耳（从设备）。
转发技术又可分为传统的2.4G转发、恩智浦的NFMI近场磁通讯技术和恒玄的LBRT低频转发技术。
相比于苹果的监听模式，转发模式存在以下劣势：
1）由于需要通过左耳（主设备）再转发到右耳（从设备）这样一个过程，转发模式连接的稳定性与延迟都要比苹果的监听模式差很多；
2）监听模式可实现任意单耳使用，而转发模式单耳使用只针对左耳（主设备）；
3）左耳（主设备）的功耗要显著高于右耳（从设备）。
蓝牙5.0并不能提升转发模式性能。蓝牙早就支持连接多个终端，但并不支持同时播放音频。也就是说，普通的蓝牙5.0技术是不支持TWS耳机1对2连接同时播放音乐的功能的，而只能依靠监听技术或者转发技术等，因为音频数据传输采用的还是上文提到的传统蓝牙标准，而不是BLE低功耗蓝牙。
因此，即使蓝牙从4.2升级到蓝牙5.0，转发模式相比于监听模式的劣势依然存在，其他厂商的TWS耳机的连接稳定性与延迟仍然要比苹果的AirPods要差一些。
蓝牙5.0可以更流畅地传输指令。尽管蓝牙5.0对音频传输没有升级，但蓝牙5.0为低功耗蓝牙BLE提供了更高带宽，PHY从蓝牙4.X的1M进化到2M，使得蓝牙设备可以更流畅地传输指令，比如AirPods2可以支持Siri。
MTK络达于2019年初推出搭载新一代TWS技术（MCSync，Multi Cast Synchronization）的AB1532芯片。MCSync具有连线更稳定，减少断音跳音，支撑高解析音频码流，低延时，两耳耗电更平衡，各种手机平台都适用等优点。此外，MCSync也支持Multiple speakers连接。
2019年中，络达推出更加成熟的AB1536芯片，其连接性能等综合体验向苹果AirPods看齐，成为热门芯片。
2019年7月，络达AB155X平台系列与Sony合作推出Sony WF-1000XM3产品，具有主动降噪（ANC）功能，并且支持Google语音助手(Google Bisto)。
2018年2月，高通推出了TWS+（TrueWireless Stereo Plus）技术。根据其官网介绍，TWS+是Qualcomm-to-Qualcomm的连接技术，只能在使用高通QCC5100/QCC30XX蓝牙芯片的TWS耳机与基于骁龙845、670、710移动平台的手机之间实现。
在TWS+连接技术下，会有两路独立的音频流从手机直接传输到两个不同的耳机，即左右声道独立连接。如果耳机跟手机通信过程中，检测到手机不支持TWS+技术，耳机会自动转换到可以兼容几乎所有智能手机的TWS通用模式。
高通TWS+技术已推出一年多时间，但推广速度较慢。由于TWS+技术实际上超出了现有的蓝牙标准，需要通过优化蓝牙标准或者安卓系统进行实现。疯米FUNCL AI、OPPO O-Free、小鸟track air、漫步者TWS5等产品尽管采用了高通QCC30XX芯片，但都阉割了TWS+功能。
2019年9月，vivo的TWS Earphone真无线蓝牙耳机是行业内首款搭载高通旗舰 QCC5126 方案，搭载使用骁龙855以上芯片的手机可以开启 TWS Plus连接模式（目前支持机型为NEX 3、NEX 3 5G、iQOO Pro、iQOOPro 5G、Z5）。
2019年4月发布的1more stylish同样阉割了TWS+功能，但1 more最新款的TWS+将于11月15日开始发货，对于骁龙855以上芯片的手机可实现TWS+功能。
我们认为，随着vivo的TWS Earphone以及1more最新款TWS耳机的推出，表明高通TWS+技术已经成熟，Q to Q生态才算真正的启动。
过去，华为FreeBuds、FreeBuds 2 Pro、荣耀FlyPods采用的都是恒玄的转发方案。
2019年9月，华为发布的FreeBuds 3则采用了华为自研的麒麟A1芯片，自研双通道同步传输技术，可以实现左右耳机从手机端分别获得左右声道的信号（与高通的TWS+技术类似），实现更高效率的传输和更低的功耗。
在同样的干扰强度下，麒麟A1与苹果H1的抗干扰表现与H1基本一致，远远高于市场其他的芯片方案；在传输速率方面，麒麟A1芯片理论传输速率达到了 6.5Mbps，3倍于其他芯片；在连接音频时，无损音频的传输速率达到了 2.3Mbps。此外，FreeBuds 3搭配独立的 Audio DSP处理单元，时延被缩减到了 190ms，这比 AirPods的220ms少了 30ms。
我们认为，华为自研麒麟A1芯片与苹果自研H1芯片类似，表明华为对TWS+耳机的定位上了一个新台阶。通过自研麒麟A1芯片与自身手机麒麟SOC平台进行适配，华为也将建立起自身的FreeBuds 3耳机-华为手机连接生态，达到甚至超过AirPods-iPhone生态良好的体验效果。
高通TWS+和华为FreeBuds 3都突破了现有的蓝牙5技术，实现了左右双通道传输，是对现有蓝牙5技术的优化与升级。
如果高通TWS+与华为的蓝牙技术有望成为下一代蓝牙技术蓝牙6的标准，即蓝牙6标准自身支持左右双通道传输，或将导致苹果的监听模式技术封锁的意义消失，而非苹果TWS耳机渗透率或将大大地加速，同时导致蓝牙芯片竞争格局发生变化。
当然，标准的形成并非易事，而是一件非常漫长而繁琐的事项，也会涉及到多个厂商之间的博弈；即使标准形成之后，标准的推广与应用也需要时间。
TWS耳机有多火爆？或许华强北市场最为敏感。当下华强北白牌TWS耳机盛行，甚至有点重现2010年左右“山寨机”时代。
根据天猫APP上部分白牌TWS耳机产品介绍，我们发现白牌TWS已经可以基本实现AirPods的大部分功能。我们在拼多多和天猫APP上搜索发现，华强北白牌TWS耳机售价在100-300元左右，拼多多上第一名销量高达5000多件，天猫上某款产品月销量超过3000件。
从出货量角度来看，根据Counterpoint数据，2019Q1 AirPods出货量约占所有TWS耳机出货量的一半，即安卓TWS与AirPods的出货量比例大约为1:1。根据Gartner数据，2018年全球智能手机出货量约14亿部，其中Apple约占2亿部，即安卓手机与Apple手机出货量比例大约为6:1。考虑到TWS耳机主要是配合智能手机使用，替代传统的有线耳机，甚至有可能成为智能手机的标配。因此，我们合理类推，未来几年，安卓TWS的年销量有望达AirPods的6倍。
上文我们提到，目前TWS行业竞争格局是苹果一家独大，其他手机、传统音频、配件厂商百家争鸣，同时白牌TWS耳机盛行。
参考山寨机发展历史，我们认为TWS行业竞争格局将经历以下几个过程：
1）苹果AirPods创造新产品，高端用户开始使用；
2）价格低廉的白牌TWS耳机促进消费者尝试体验TWS耳机，有利于打开TWS行业市场需求；
3）品牌厂商凭借产品质量与品牌优势，使得TWS耳机行业向品牌厂商集中；
4）手机品牌厂商凭借TWS耳机与智能手机形成的生态带来更好的体验，使得TWS耳机行业进一步向手机品牌厂商集中。
因此，长期来看，我们认为苹果、华为、三星、OPPO、vivo、小米的手机品牌厂商的TWS耳机将占领主要市场。在品牌厂商的背后是蓝牙解决方案的竞争格局，苹果采用自研蓝牙芯片；华为同样采用自研蓝牙芯片；三星未来同样有可能自研蓝牙芯片；而OPPO、vivo、小米则应该主要采用高通的蓝牙芯片，实现与高通骁龙平台的适配。
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自转向以数据为中心的全方位创新战略以来，英特尔正加速航行。作为重要棋子的FPGA，英特尔也加快了出新步伐。近日，英特尔宣布出货全新Stratix 10 DX FPGA，而基于10nm工艺的Agilex系列已向参与早期使用计划的客户出货，明年将正式量产。
异构方案解决加速挑战
“众所周知，数据已呈指数级增长，客户所寻求的是将这些数据货币化，希望可通过全新应用以及对现有应用提速来实现货币化的目的，而充分利用这些海量数据就需要异构方案。”英特尔公司网络和自定义逻辑事业部副总裁兼FPGA和电源产品营销总经理Patrick Dorsey指出异构计算在数据时代的优势所在，“这种异构架构包含了CPU、GPU、AI芯片以及FPGA，只有综合性、针对性地解决具体问题，才能打造一个完整的解决方案。”
而在异构平台中，FPGA绝对“不可或缺”。随着摩尔定律的放缓以及大数据、AI、5G、自动驾驶等的发展，对计算能力和带宽提出了前所未有的要求，同时新的算法新的框架层出不穷，要应对这一变化就需要灵活应变的FPGA。据预计到2022年，FPGA市场将达到75亿美元的规模，年复合成长率为9%。
而数据中心的两大指标需要“和衷共济”：即网络吞吐量必须提高，而时延必须降低。Patrick Dorsey表示，随着服务器需要更高效的计算以处理AI等相关负载，包括FPGA、GPU等在内的硬件加速器被广泛使用，但其有效性能在很大程度上取决于CPU、可用系统内存和加速器之间的通信带宽和延迟。
于是乎，在4年前英特尔将Altera纳入囊中之后，可打造“全能异构平台”的英特尔继宣布在中国重庆成立全球最大的FPGA中国创新中心以来，又重磅宣布FPGA组合家族当中的一个全新产品Stratix 10 DX，借力至强处理器Xeon+Stratix 10 DX的“组合拳”应对加速挑战。
Xeon+FPGA组合带来高内存扩展能力
对于这一全新组合，Patrick Dorsey分析其最大优势在于低时延、高带宽以及内存扩展能力。Stratix 10 DX不仅是英特尔首个支持PCIe Gen4的FPGA，同时通过与至强处理器采取超路径互连UPI，从而带来了关键价值即可快速扩展内存，如可支持8个独立的傲腾DC持久内存控制器，总容量可到4TB。
Patrick Dorsey解释说，内存无论是DDR还是傲腾，通过在至强处理器与FPGA之间共享存储，在共享过程中就不用进行数据迁移或拷贝，因数据迁移和拷贝会带来高成本，同时也会降低系统的性能。从新的内存金字塔层级来看，不同类型的内存包括存储、持久性内存以及标准化内存，Stratix 10 DX则可提高塔尖高层级内存性能，如傲腾和DRAM。
针对不同应用性能的优化，Patrick Dorsey列出了具体数字：在边缘计算应用中，Stratix 10 DX在拥有UPI之后，比仅使用PCIe的响应速度快37%。而在网络应用中，因支持PCIe Gen4，带宽比前一代PCIe Gen3扩大了两倍，使得数据处理更为快速，同时也拥有以太网功能。而在数据中心方面，通过英特尔的异构即Xeon+FPGA计算，加之PCIe Gen4与UPI的互联，总带宽可提升2.6倍。
虽然英特尔已宣布退出5G基带业务，但仍专注于基础设施。对于正式商用的5G，Stratix 10 DX也大有可为。Patrick Dorsey介绍：“Stratix 10 DX可应用于5G基站，其好处体现在低时延，尤其是当5G走向数据中心、在vRAN方面应用时配合至强处理器，可进行诸多网络功能的加速。”
目前新款FPGA与至强处理器通过UPI互连，Patrick Dorsey在谈及未来封装一体化问题提及，多样化的FPGA可使得客户进行灵活的配置和优化，集成封装还非必须。
下一代Agilex实现诸多创新
而祭出的Stratix 10 DX FPGA还只是一个发韧，对于FPGA英特尔的完整路线图已然浮出水面， Agilex FPGA系列也已出货，明年量产。
据悉，英特尔Agilex FPGA系列几乎集成了英特尔现阶段所有的技术和创新优势，包括架构、封装、工艺、开发工具以及通过eASIC技术实现降低功耗的快速方式。
Patrick Dorsey着重说，Agilex采用英特尔的10nm工艺，可对标业界的7nm水平。并且，Agilex将支持下一代UPI，即基于CXL的开放标准接口，同时还将支持第五代PCIe，其他创新还包括第二代HyperFlex架构、DSP创新等。他还强调，目前UPI只可搭配至强处理器使用，未来CXL将是公开的，可适配任何处理器。而从UPI过渡到CXL，只需对硬件接口和一些软件进行更新。最重要的是开发者已可使用UPI进行应用开发，客户也可向CLX进行无缝转移以及迭代。
放眼FPGA领域的两大巨头，在数字时代做出了殊途同归的选择，英特尔的异构平台显然是其重要筹码。Patrick Dorsey最后指出，仅仅拥有四种架构是不够的，为保证客户能够充分利用异构的优势，英特尔一方面面向开发者提供产品路线图以及one-API统一应用开发接口等，另一方面针对端到端的硬件部署与客户展开密切合作。
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