概述
该TC426/TC427/TC428是双通道CMOS高速司机。一个TTL/ CMOS输入电平被翻译成轨到轨输出电压摆幅。 CMOS输出是在25 mV的地面或正电源。低阻抗,高电流驱动输出摆幅1000pF的负载在30nsec18V的。独特的电流和电压驱动特性使理想的TC426/TC427/TC428功率MOSFET驱动器,线路驱动器,直流到直流转换器的组成部分。输入逻辑信号可能等于电源电压。输入电流是一种低1mA时,进行直接接口的CMOS/双极开关式电源控制IC的可能,以及开集的模拟比较器。静态电源电流为8mA最大。该TC426需要1/ 5引脚兼容的两极当前DS0026设备。这一点很重要的DC - DC转换器应用程序与效率的制约和权力高频开关式电源应用。静态电流通常为6mA驱动1000pF的负载时18V的在100kHz。反相TC426驱动引脚与兼容双极DS0026和MMH0026设备。是的TC427同相;的TC428包含一个反相和同相驱动程序。其它引脚兼容的驱动程序的家庭是TC1426/27/28,TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A。
电源旁路
充电和放电大容性负载进行快速需要大电流。例如,收取1000 - pF的负载to18V在25nsec需要从0.72A电流设备的电源供应。为了保证在很宽的频率低电源阻抗范围,并联电容器的组合推荐供应旁路。低电感陶瓷短引线长度磁盘电容器“(<0.5英寸)应使用。阿一mF及其薄膜电容器并联一个或两个0.1uF的陶瓷电容器通常提供了足够的磁盘绕过。
接地
TC426和TC428包含的反相驱动器。地面在共同的接地阻抗发展潜力下降从输入到输出将显示为负反馈降低开关速度的特点。输入和输出个人返回地面电路或地平面应使用。
输入级
输入电压的改变而空载或静态电源电流。的N沟道MOSFET的输入级晶体管驱动2.5mA的电流源负载。使用逻辑“1“输入,最大静态电流为8毫安。逻辑“0“的输入电平信号,减少静态电流0.4毫安最大。最低功耗发生的逻辑“0“的投入为TC426/427/428。未使用的驱动程序输入必须连接到VDD或GND。该驱动器设计与100 mV的迟滞。这提供了干净的转换,减少输出级当前不断变化的扣球时的状态。输入电压阈值大约为1.5V,使设备TTL兼容在4.5V至18V的电源工作范围。输入电流小于1毫安超过这个范围。该TC426/427/428可直接驱动TL494的,SG1526/1527,SG1524,SE5560,以及类似的开关模式电源集成电路。
TC426-1.5A双高速功率MOSFET驱动器
时间:2013-2-24 15:26:00
概述该TC426/TC427/TC428是双通道CMOS高速司机。一个TTL/CMOS输入电平被翻译成轨到轨输出电压摆幅。CMOS输出是在25mV的地面或正电源。低阻抗,高电流驱动输出摆幅1000pF的负载在30nsec18V的。独特的电流和电压驱动特性使理想的TC426/TC427/TC428功率MOSFET驱动器,线路驱动器,直流到直流转换器的组成部分。输入逻辑信号可能
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2024-4-24 17:57:00
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