CL21B224KBFNFNE

时间:2019-11-5 10:03:00

CL21B224KBFNFNE

CL21B224KBFNFNE产品详细规格

封装/外壳 0805

安装 Surface Mount

电容值 0.22 uF

电压 50 Vdc

容差 10 %_ 介质 X7R

工作温度 -55 to 125 °C

结构 Flat

产品长度 2 mm

产品高度 1.25 mm

标准包装 Tape & Reel

安装类型 Surface Mount, MLCC

电压 - 额定 50V

电容 0.22μF

封装 Tape & Reel (TR)

温度系数 X7R

尺寸/尺寸 0.079 L x 0.049 W (2.01mm x 1.25mm)

应用范围 General Purpose

封装/外壳 0805 (2012 Metric)

厚度(最大) 0.053 (1.35mm)

其他名称 1276-2947-2

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

Thickness(mm) 1.25mm

RatedVoltage 50Vdc

TempCharacteristic X7R(-55 ~ +125)

Size L x W mm (Inch) 2.0x1.25(0805)

随着三星发表Exynos 990新一代移动处理器,意味着三星自行研发的的高性能CPU核心已经发展到了第5代的阶段。但是,即便如此,面对竞争对手高通(Qualcomm)在处理器性能上的研发越加强大,现在有外媒报导指出,三星决定停止自行研发CPU核心的计划,未来完全回归到采用ARM核心的道路上。

这也显示在目前竞争激烈的环境下,要自行研发CPU核心并没法占据更大的优势。因此,未来也再难以看到三星自行研发的CPU核心产品出现。

国外科技媒体《wccftech》的报导表示,根据三星在提交给美国德州劳动委员会的资料显示,三星位在德州奥斯汀半导体工厂的研发部门,计划将于2019年的12月31日关闭,并解聘在部门内工作的全部290名员工。

至于,奥斯汀晶圆厂的近3,000名其他工人,三星则表示不在此次裁员之列。三星表示,对于这次的裁员表示遗憾。不过,对于受影响的员工将会妥善安排资遣津贴。三星强调,此次的裁员是放眼和评估未来业务后做出的艰难抉择。

报导表示,市场人士指出,在对抗移动处理器龙头高通的竞争上,三星一直企图以自行研发的CPU核心来达到提升移动处理器效能的目标。虽然三星在近几代的自行研发CPU核心上的性能并不差,但是耗电问题始终没有妥善解决的办法。

尤其在与高通骁龙处理器比较时,其弱点就显露无遗。而三星过去在德州奥斯汀的研发计划上已经投入了超过170亿美元的经费,但是在结果并不理想的情况下,这次决定停止计划,应该是在公司高层预料中的事情。

而随着三星关闭自行研发CPU核心的计划之后,预计2020年将搭载在三星旗舰型智能手机Galaxy S11上的Exynos 9830移动处理器,其核心架构也可能将会回归到ARM的A77大核心架构上。

不过,虽然三星关闭自行研发CPU核心的计划,但是在自行研发GPU方面,仍将持续和AMD合作。其成果展现将是可能在2021年推出一款采用AMD GPU核心技术的游戏手机,届时大家就拭目以待。

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