A3PE3000L-1FG484I

发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司时间:2019-10-31 17:09:00

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A3PE3000L-1FG484I 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA

A3PE3000L-1FG484I功能和好处经测试和鉴定的军用温度?每个设备在–55°C到125°C的温度下测试?高级和专业I/O??????······························700 Mbps DDR,支持I/OS1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V的LV和3.3 V混合电压操作?每个芯片最多8个组可选I/O电压单端I/O标准:LVTTL、LVCMOS 3.3 V/2.5 V/1.8 V/1.5 V/1.2 V、3.3 V PCI/3.3 V PCI-X和LVCMOS 2.5 V/5.0 V输入?差分I/O标准:LVPECL、LVDS、BLVDS和M-LVDSVoltage参考I/O标准:GTL+2.5 V/3.3 V、GTL2.5 V/3.3 V,HSTL I级和II级,SSTL2 I级和II级,SSTL3 I级和II级(仅A3PE3000L)输入输出I/O寄存器,并启用路径切换和冷备份I/O可编程输出转换率和驱动强度可编程输入延迟(仅限A3PE3000L)单端输入(A3PE3000L)上的施密特触发器选项弱上拉/下ieee 1149.1(JTAG)边界扫描测试引脚兼容包跨军用Proasic?3elfamilyfirm error immune?not易受中子引起的构型:LoSoS-功率:动态和静态功率的急剧降低:1.2 V至1.5 V芯和I/O电压支持低功耗,FLASH*冻结模式的低功耗允许瞬时进入/退出低功率FLASH FRIEZMODEDYO:支持单电压系统操作低阻抗开关高容量?600 k至3 m系统门?高达504 kbits的真正双端口SRAM?高达620个用户I/O可编程闪存技术????130 nm,7层金属(6铜),基于闪存的CMOS进程上电时通电(LAPU)0级支持单芯片解决方案在断电时保留编程设计电路(CCC)和PLL?六个CCC模块,一个带有集成PLL(Proasic3),所有模块都带有集成PLL(Proasic3el)?可配置移相、乘法/除法、延迟能力,和外部反馈?宽输入频率范围1.5兆赫至250兆赫(1.2伏系统)和350兆赫(1.5伏系统)高性能?350兆赫(1.5伏系统)和250兆赫(1.2伏系统)系统性能?3.3伏、66兆赫、66位PCI(1.5伏系统)和66兆赫、32位PCI(1.2伏系统)SRAM和FIFOS?可变长宽比4,608位RAM块(×1、×2、×4、×9和×18个可用组织)?真正的双端口SRAM(除×18外)?24个同步操作的SRAM和FIFO配置:–250 MHz:对于1.2 V系统–350 MHz:对于1.5 V系统??ARM Cortex?-M1软处理器,可用于或不用于调试A3P1000M1A3P10001M24,576144321kyes1184154pq20fg144a3pe3000lm1a3pe3000l3m75264504111kyes6188620in系统编程(isp)和安全?通过jtag(符合ieee 1532)使用片上128位高级加密标准(aes)解密保护isp?flashlock?以保护fpga内容高性能路由层次结构?分段,分层路由和时钟结构?高性能、低偏差的全球网络?体系结构支持超高利用率

注1。在考虑将您的设计迁移到低密度或高密度设备时,请参阅数据表的打包部分,以确保您符合设计和板迁移要求。每个使用的差分I/O对都将可用的单端I/O数量减少了2.3。”G”表示符合RoHS的包装。有关零件号“G”的位置,请参阅第三页的“军事项目3/EL订购信息”。对于A3PE3000L设备,某些I/O标准的使用受到以下限制:–SSTL3(i)和(ii):每个北岸或南岸最多40个I/O–LVPECL/GTL+3.3 V/GTL 3.3 V:每个北岸或南岸最多48个I/O–SSTL2(i)和(ii)/GTL+2.5 V/GTL 2.5 V:每个北岸或南岸最多72个I/O。当使用flash*freeze pin直接启用flash*freeze模式而不是作为常规I/O时,可用的单端用户I/O数量减少一个。

1–军用Proasic3/EL设备系列概述概述军用Proasic3/EL系列Actel Flash FPGas显著降低40%的动态功耗和50%的静态功耗。这些节电与性能、密度、真正的单芯片、1.2V至1.5V内核和I/O操作、可重编程性以及先进功能相结合。Actel经验证的Flash*冻结技术使军用Proasic3el设备用户能够立即关闭动态电源并将设备切换到静态模式,而无需关闭时钟。或电源,并保持设备的内部状态。这大大简化了权力管理。此外,使用电源驱动布局的优化软件工具提供了持续的按键功耗降低。非易失性闪存技术为军用Proasic3/EL设备提供了一个安全、低功耗、单芯片解决方案,即实时通电(LAPU)。军用PROASIC3/EL设备提供了巨大的动态功耗节省,使FPGA用户能够灵活地结合低功耗和高性能。这些特性使设计者能够使用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具来创建高密度系统。军用PRASIC3/EL设备提供1千位片上、可编程、非易失性闪存。以及基于集成锁相环(pll)的时钟调节电路(ccc)。军用proasic3/el设备支持从600 k系统门到300万系统门的设备,具有504 kbits的真正双端口sram和620个用户i/os。m1军用proasic3/el设备支持由arm开发的高性能32位cortex-m1处理器,用于在fpgas中实现。arm cortex-m1是一个软处理器,完全在fpga结构中实现。它有一个三级管道,在m1军用proasic3/el设备中实现时,在低功耗和速度之间提供了良好的平衡。处理器运行armv6-m指令集,有一个可配置的嵌套中断控制器,并且可以使用或不使用调试块来实现。ARM Cortex-M1可从ACTEL免费获得,用于M1军用Proasic3/elfpgas。启用ARM的设备具有以M1开头的ACTEL订购号,不支持解密。Flash*Freeze Technology?军用Proasic3el设备提供了ACTEL经验证的Flash*Freeze Technology,允许从活动状态瞬时切换到静止状态。当flash*冻结模式被激活时,军用proasic3el设备进入静态状态,同时保留寄存器和sram的内容。省电,无需额外的外部组件来关闭/关闭操作系统或时钟。flash*freeze技术与系统内可编程性相结合,使用户能够在现场生产的最后阶段快速方便地升级和更新其设计。军用PROASIC3EL设备支持1.2 V核心电压的能力允许更大的功耗降低,这使得系统总功率较低。当军用PROASIC3EL设备进入FLASH冻结模式时,该设备自动关闭时钟和输入到FPGA核心;当设备退出Flash *冻结模式时,所有的活动和数据都被保留。低功耗模式的可用性,结合可重新编程的单芯片单电压解决方案,使得军用Proasic3el设备适合于低功耗数据传输和在可用功率可能有限的军事温度应用中的操作(例如,在电池供电设备中);或散热可能受到限制的地方(例如,在没有强制冷却的外壳中)

军用proasic3/el设备系列概述flash优势低功耗基于actel flash的fpgas军用proasic3el系列提供低功耗优势,当与高性能结合时,使设计师能够使用一个可重新编程的单芯片做出功耗智能选择,以及通电设备。军用Proasic3el设备通过将核心工作电压降低至1.2V提供40%的动态功率和50%的静态功率节省。此外,Libero?集成设计环境(IDE)中的电源驱动布局(PDL)功能可提供高达30%的额外功率减少。使用Flash*Freeze技术,军用Proasic3el设备能够保留设备SRAM和逻辑,从而将动态功率降至最低,而无需停止时钟或电源。结合这些功能提供了低功耗、功能丰富和高性能的解决方案。安全性非易失性、基于Flash的军用Proasic3/EL设备不需要需要一个启动prom,所以有一个不可破坏的外部比特流,可以很容易地复制。军用proasic3/el设备内置flashlock,它在无外部开销的情况下,提供了可重编程性和设计安全性的独特组合,只有具有非易失性flash编程的fpga才能提供的优势。军用proasic3/el设备使用基于128位flash的锁和单独的aes密钥来保护编程的知识产权和配置数据。此外,军用proasic3/el设备中的所有flashrom数据都可以在加载前使用业界领先的aes-128(fips192)位分组密码加密标准进行加密。aes于2000年被美国国家标准和技术研究所(nist)采用,取代了1977年的des标准。军用proasic3/eldevices有一个内置的aes解密引擎和一个基于flash的aes密钥,使它们成为当今最全面的可编程逻辑设备安全解决方案。基于aes安全的军用proasic3/eldevices允许通过公共网络(如internet)进行安全、远程的现场更新,并确保有价值的ip不落入系统过度构建者、系统克隆者和ip窃贼的手中。虽然安全设计验证是可能的,但已编程设备的内容不能被读回。内置在fpga结构中的安全性是军用proasic3/el系列的固有组件。闪存单元位于七个金属层下,许多设备设计和布局技术已经被用来使入侵攻击变得极其困难。军事proasic3/elfamily,具有flashlock和aes安全性,对侵入性和非侵入性攻击具有高度的抵抗力。您宝贵的IP受到保护和安全,使远程ISP成为可能。简易的proasic3/el设备为可编程逻辑设计提供了最不可穿透的安全性,基于单芯片flash的fpga将其配置信息存储在片上flash单元中。一旦编程,配置数据是fpga结构的固有部分,在系统通电时无需加载外部配置数据(与基于sram的fpgas不同)。因此,基于flash的军用proasic3/el-fpgas不需要eeprom或控制器等系统配置组件来加载设备配置数据。这降低了材料清单成本和印刷电路板面积,提高了安全性和系统可靠性。基于闪存的实时军事项目3/EL设备支持LAPU分类标准的0级。此功能有助于系统组件初始化,在处理器唤醒前执行关键任务,内存块的设置和配置、时钟生成和总线活动管理。基于flash的军用proasic3/el设备的lapu特性大大简化了总体系统设计,降低了总体系统成本,通常不需要cpld和时钟产生plls。此外,系统电源中的故障和故障不会损坏MILITARYPROASIC3/EL设备的闪存配置,而且与基于SRAM的FPGAs不同,当系统电源恢复时,设备不必重新加载。这使得配置prom、昂贵的电压监视器、浏览器检测和时钟发生器设备能够从pcb设计中减少或完全删除。基于flash的军用proasic3/el设备简化了总体系统设计和

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XC7A200T-2FBG484C

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

ProASIC3L Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

Radiation-Tolerant ProASIC3 Low-Power Space- Flight Flash FPGAs

ActelActel Corporation

Actel 公司

Actel
2024-4-23 21:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI
19+
BGA
120
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Microch
20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
MICROSEMI
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Microsemi
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新批次
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FBGA484
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