Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管是一款设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。紧密的过程控制和低电感封装,可产生具有快速边缘的大导通电流脉冲。Diodes Incorporated的这款双极结型晶体管 (BJT) 设计用于满足汽车应用的严格要求。
特性
_IUSB=35A(典型值)
_BVCBO>80V
_BVCEO>15V
_专门设计用于在低电压雪崩模式下工作
_高度为0.62mm的薄型封装,适用于薄型应用
_镀锡侧壁可用于AOI中的可湿侧面
_无铅,符合RoHS指令
_无卤、无锑的绿色器件
_FMMT411FDBWQ适合用于需要特定变更控制的汽车应用
_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,在通过IATF16949认证的工厂中制造
规范
_W-DFN2020-3/SWP(A型)封装
_标称封装高度:0.62mm
_封装材料是模制塑料绿色模压化合物。UL可燃性等级:94V-0
_湿度敏感度:J-STD-020标准1级
_端子采用雾锡涂层,可焊接,符合MIL-STD-202方法208的要求
_重量:0.01克(近似值)
应用
_激光二极管驱动器,用于测距和测量 (LIDAR)
_雷达系统
_快速边缘开关发生器
_高速脉冲发生器
FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
发布企业:深圳市华睿芯科技有限公司时间:2024-1-9 13:56:00
FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
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