分立半导体晶体管STP7NK80Z， STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP， STP7NK80Z n沟道800 V， 1.5?，5.2，- 220，- 220 - fp， D2PAK， I2PAK Zener-protected SuperMESH?功率MOSFET特性
极高的dv/dt能力，100%雪崩测试，极低的本征电容，极好的制造重复性■切换应用分立半导体晶体管STP7NK80Z
通过对ST公司已建立的基于条带的PowerMESH?布局进行极端优化，得到了SuperMESH?系列。除了显著降低导通电阻外，还特别注意确保对最苛刻的应用程序具有非常好的dv/dt能力。该系列产品是对ST全系列高压mosfet(包括革命性的MDmesh?产品)的补充。图1所示。内部原理图分立半导体晶体管STP7NK80Z
vds公司类型(@Tjmax) RDS () ID STP7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8?STP7NK80ZFP 800 v 5.2 < 1.8?STB7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8?STB7NK80Z-1 800 v 5.2 < 1.8?
I2PAK 220《外交政策》D2PAKAM01476v1表1。设备汇总订单代码，标志包装包装
STB7NK80ZT4 B7NK80Z D2PAK磁带e盘STB7NK80Z-1 B7NK80Z我2PAK TubeSTP7NK80Z P7NK80Z - 220 STP7NK80ZFP P7NK80ZFP - 220《外交政策》
符号参数价值
VDS漏源电压(VGS = 0) 800 V VGS栅源电压±30 V ID漏电流(连续)TC = 25℃5.2 5.2 (1)
1. 仅受允许的最高温度限制分立半导体晶体管STP7NK80Z
A ID漏电流(连续)在TC = 100℃3.3 3.3 (1)A IDM (2)
2. 脉冲宽度受安全操作区域限制
漏电流(脉冲)20.8 20.8(1)在TC = 25°C 125 30 W降阻系数1 0.24 W/°C时，总耗散为零VESD (g)
门源ESD (HBM-C = 100 pF， R = 1.5 k?)4000 Vdv / dt (3)
3.ISD≤5.2， di / dt≤200 /μs VDD≤V (BR) DSS， Tj≤TJMAX。
峰值二极管恢复电压斜率4.5 V/ns
VISO3条引线至外部散热器的绝缘耐压(RMS) (t=1 s;TC = 25°C)2500 VTj测试
最大工作结温度存储温度分立半导体晶体管STP7NK80Z
-55年到150年热数据符号参数rthj -外壳热阻连接-外壳最大14.2°C/W Rthj-amb热阻连接-环境最大62.5°C/W
Tl焊接用最高铅温300°C表4。雪崩特性符号参数值单位AR雪崩电流，重复或非重复(脉冲宽度受Tj Max限制)5.2
东亚峰会单脉冲雪崩能量(起始TJ = 25℃，ID = IAR， VDD = 50 V)
