晶体管STC6NF30V n沟道30 v 2.5 - 0.020?- 6 a TSSOP8 v-drive STripFET?II功率MOSFET60V
一般特征■超低阀值闸板驱动(2.5V)■标准外形，便于自动表面安装安装
晶体管STC6NF30V 该功率MOSFET是意法半导体公司最新开发的独特的“单特征尺寸?”条带制程。所得到的晶体管在低导通电阻下显示出极高的封装密度。
VDS公司漏源极电压(vg = 0) 30 V VDGR Drain-gate电压(该公司= 20 k?)20 V vg Gate-source±电压12 V ID漏极电流(连续)TC 6 = 25°C ID漏极电流(连续)TC IDM 3.8 = 100°C (1)
晶体管STC6NF30V 1. 脉冲宽度受安全操作区域限制
漏电流(脉冲)24 A总损耗在TC = 25℃1.5 W Tstg存储温度-55 ~ 150℃TJ Max时。工作结温-55至150℃
表2。热阻接口- pbc Max 100 (1)
1. 当安装在FR-4板与1英寸ch2垫，2盎司的铜。t = 10秒。热阻接头- pbc Max 83.5 (2)
2. 安装在建议的最小占用空间上时
V(BR)DSS漏源击穿电压
ID = 250μa vg 30 V = 0中的难点零栅电压漏电流(VGS = 0)
VDS =最大额定值，VDS =最大额定值@125℃1 10
μAμAigs门体泄漏电流(VDS = 0)VGS =±12V±100na
VDS vg (th)门阈值电压= vg， ID = 250μa 0.6 V RDS()静态漏源极电阻vg = 4.5 V， ID = 3 vg = 2.5 V， ID = 3 0.020 0.025 0.025 0.030??动态符号参数试验条件最小。Max。单位gfs (1)
晶体管STC6NF30V1. 脉冲，脉冲持续时间= 300μs，占空比1.5%_
正向跨导VDS = 10V， ID = 6a18 S独联体输出电容crs
ISD源漏电流6a ISDM(1)
1. 脉冲宽度受安全操作区域限制
源漏电流(脉冲)24a房间隔缺损(2)2. 脉冲，脉冲持续时间= 300μs，占空比1.5%正向电压ISD = 6A， VGS = 0 1.2 V
trr Qrr IRRM反向恢复时间反向恢复充电反向恢复电流ISD = 6， di / dt = 100 /μs， VDD = 15 v， TJ = 150°C
