RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器
RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N- MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。
RT9607/ A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性
MOSFET的选择。
部分输出驱动器驱动一个3NF capble30/40ns负载的上升/下降时间与快速繁殖
从输入过渡延迟到了权力的大门MOSFET的。该设备实现上的引导需要只有一个外部电容上的门每个功率通道。这就降低了实施复杂性，并允许使用更高的性能，成本有效的N - MOSFET的。自适应贯通保护离子集成，以防止进行两个MOSFET同时。RT9607/A可以检测高侧MOSFET的漏tosource电气电源和拉12V电源偏低，MOS和造成电源去成以上电流关断，以防止损坏CPU。RT9607具有较长的UGATE/ LGATE死区时间可以MOSFET的驱动器与大型门RC值，避免直通现象。 RT9607A是有针对性地驱动小门RC值MOSFET和更好地执行效率。
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器
时间：2012-11-5 15:26:00
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N-MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。RT9607/A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性
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2024-4-30 20:00:00
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