IS42SM32160E-75BLI是一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片，具有以下主要特性和功能：
1. 存储容量：IS42SM32160E-75BLI具有32Mb（32兆比特）的存储容量，可以存储较大量的数据，适用于各种应用场景。
2. 速度：该芯片的速度等级为-75，表示它的存取时间为75纳秒。较小的存取时间表示存储器的响应速度更快。
3. 接口：IS42SM32160E-75BLI采用同步动态随机存取存储器（SDRAM）的接口方式，具有高速的数据传输能力。它可以通过同步数据线与处理器或其他设备进行通信。
4. 电源电压：该芯片的工作电源电压为3.3V，符合大多数现代系统的电源要求。
5. 自刷新功能：IS42SM32160E-75BLI支持自刷新功能，可以周期性地刷新存储数据，以保持数据的可靠性和稳定性。
6. 低功耗设计：该芯片采用低功耗设计，可以在节能的同时提供高性能的数据存取。
7. 独立的读/写操作：IS42SM32160E-75BLI具有独立的读写操作功能，可以同时进行读写操作，提高存储器的并发性和性能。
8. RoHS兼容：该芯片符合RoHS（限制使用某些有害物质）指令的要求，有助于减少对环境的影响。
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 环保
类型: SDRAM Mobile
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-90
数据总线宽度: 32 bit
组织: 16 M x 32
存储容量: 512 Mbit
最大时钟频率: 133 MHz
访问时间: 6 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
电源电流—最大值: 120 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS42SM32160E
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
包装数量：240
子类别: Memory & Data Storage
商标名: PowerSaver
