制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7.3 A, 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 5.9 nC, 7.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SQ
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay Semiconductors
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: SQ4532AEY-T1_GE3
