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UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
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SB540G-DO201ADB-TG
高压启动开关控制 VCC 电容的启动，传统开关电源控制器都是外接启动电阻对IC 的VCC 脚位电容充电启动，UCS165XS 系列责使用内含高压启动开关从功率管drain 脚位抽取线输入电流进行恒流启动，启动恒定电流约为600uA，其优点是无论线输入电压高低，充电电流恒定，避免了传统开关电源系统外接电阻启动在低输入线电压条件下的启动电流极低的尴尬，因此UCS165XS 系列启动速度极快，对高值电容限制低。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
U74AHC595G TSSOP-16 T/R、UT3419G SOT-23 T/R、U74LVC1G04G SOT-353 T/R、UZ2085G-ADJ TO-252 T/R、U74AUP1G07G SOT-353 T/R、LM321G SOT-23-5 T/R、TL431HL-A TO-92 T/B、LD1117AG-ADJ-A-Q SOT-223 T/R、DTC123JG SOT-23 T/R、TL431G-3 SOT-23 T/R。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。
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U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
UPC817DG-DIP4T-TG\U74LV1T34G-SOT353R-TG\U74LVC126AG-TSSOP14R-TG\UT100N03L-TO220T-TG。
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG\TL431NSG-SC59.3R-ATG\LR2125G-SC59.5R-AD-TG\UT3N01ZG-SOT323R-TG\LD1117AG-TO252R-18-ATG\UT2302G-SC59.3R-TG。
UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）达到高效率，满足六级能效标准。。其具有高压启动功能，方便客户满足待机效率的六级能效设计。
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在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
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