MSK4800H
特征
半桥配置
额定电压600V
450A连续输出电流
门上的内部齐纳夹
专有封装提供近乎密封的性能
可进行Hi-Rel筛选（修改38534）
轻质拱形Alsic底板
高可靠性应用的鲁棒机械设计
超低电感内部布局
承受96小时HAST和热循环（-55°C至+125°C）
用于de-sat检测的高压侧收集器感应针
说明：
MSK4800是专门为军事用途开发的一系列塑料封装模块（PEM）之一，
航空航天和其他恶劣环境应用。半桥配置和600伏/450安培额定值使它
适用于大电流电机驱动和逆变器应用。铝-碳化硅（ALSIC）基板提供
优良的平整度和重量轻；远优于大多数大功率塑料模块中的铜或铜合金。
用于建造MSK4800的高导热材料允许在升高的基板上进行高功率输出。
温度。我们的专有涂层，SEES?—恶劣环境封装系统—保护内部电路
MSK PEM的水分和污染，使其能够通过严格的环境筛选要求。
军事和航天应用。MSK PEM也可用于工业标准硅胶涂层。
低成本选项。
绝对最大额定值
集电极对发射极电压：600V
栅极到发射极电压：±20V
电流（连续）：450A
脉冲电流（1ms）：900A
外壳隔离电压：2500V
储存温度范围：-55°C 至 +125°C
结温：150°C
外壳工作温度范围：
MSK4800H -55°C to +125°C
MSK4800 -40°C to +85°C
热计算
功率耗散和最大允许温升涉及许多变量一起工作。集电极电流，
脉宽调制占空比和开关频率均为功率损耗因素。直流损耗或“准时”损耗
VCE（SAT）x集电极电流x PWM占空比。对于MSK4800，VCE（SAT）=2.6V（最大值），450安培和脉宽调制
占空比为30%，直流损耗等于351瓦。开关损耗随开关频率成比例变化。MSK4800
VCE=300V和ICE=450A时的典型开关损耗约为117.7mJ，这只是通电开关损耗和关断开关损耗之和。将开关频率乘以开关损耗将导致
开关功耗。MSK4800在5KHz时，开关功耗为589瓦。
总损耗是直流损耗加上开关损耗之和，在这种情况下，总损耗为940瓦。
940瓦x 0.08°C/W热阻等于外壳和接头之间的温升75度。
从150°C的最高结温减去75°C等于75°C的最高外壳温度。
例子。
VCE（SAT）x IC x PWM占空比=2.6V x 450安培x 30%=357瓦特直流损耗
开启开关损耗+关闭开关损耗=总开关损耗=30.5+87.2=117.7mJ
总开关损耗x脉宽调制频率=总开关功耗=117.7mJ x 5KHz=589瓦
总功耗=直流损耗+开关损耗=351+589=940瓦
结温升高于外壳=总功耗x热电阻
940瓦x 0.08°C/W=高于外壳75°C的温升
最大结温-结温升=最大基板温度
150°C-75°C=75°C
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