类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G2R™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
156 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
145 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3706 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
基本产品编号
G2R120