BSC060P03NS3EGATMA1
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6020 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC060
BTS716G
TLE4241GM
BSZ084N08NS5
TLE42754G
IPT039N15N5
