FDMS86163P,MOSFET PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET.
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Power-56-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 6.9 ns
正向跨导 - 最小值: 29 S
高度: 1.1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.8 ns
系列: FDMS86163P
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5 mm
单位重量: 68.100 mg
