RU6080L,N沟道 60V 80A,场效应管(MOSFET)
型号: RU6080L
品牌: Ruichips(锐骏半导体)
封装: TO-252
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2.84nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):140pF@30V 工作温度:+175℃@(Tj)