IRFB3206PBF

发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2022-5-25 10:00:00

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IRFB3206PBF

类型描述选择?

类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装管件

产品状态在售

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6540 pF @ 50 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

基本产品编号 IRFB3206

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
IRFB3206	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFB3206GPBF	HEXFETPower MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB3206PBF	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
ME3206Serise		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司
3206	200 V - 1,000 V Three Phase Bridge	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
3206	200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 4.0 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time	VMI Voltage Multipliers
3206	31.6 MHz Bandpass Filter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
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2024-5-13 9:39:00