TAJE108K002RNJ_TAJE108K002RNJ导读
除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。
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TLJK686M006R2000
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。那么寄生二极管起什么作用呢?当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。(起到保护MOS管的作用)。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
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TAJD476M035RNJ
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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