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IRF7316TRPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 2 P-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 7.7 S
下降时间: 32 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SP001565294
