AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出温度系数(TCR)低至 2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF
APM7313KC-TRL
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,较终使扩散运动达到平衡);。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF
RK4936
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
饱满区(UDS>UGS-UT)在上述三个区域保卫的区域即为饱满区,也称为恒流区或放大区。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中,就是工作在截止区和击穿区两个区。 。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内,漏极电流近似为一个常数。当UDS加大道必定数值今后,漏极PN结发生击穿,漏电流疾速增大,曲线上翘,进入击穿区。
搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时,栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。图3是某种场效应管的搬运特性。 。MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF
电芯相当于锂电池的心脏,而锂电池保护板主要由保护芯片(或管理芯片)、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。
NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
相关资讯