2N7002A_NCEP048N72导读
而电动车上上用的功率mos是立体结构。小功率mos是平面型结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。
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NCE30H32WD
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。
。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
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NCEP3085EG
当外加正向电压增大时，非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大，外加电压减小时，变化相反。扩散电容：当外加正向电压时，靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高，远离非平衡少子浓度低，且浓度自高到底逐渐衰减直到0。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同，称为扩散电容。
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
可变电阻区（UDS 在这个区域内，UDS增加时，ID线性增加。在低UDS分开夹断电压较大时，MOS管相当于一个电阻，此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区（UGS）。在导电沟道挨近夹断时，增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域：可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。
一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。
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MOS管在保护板中的作用是：1、检测过充电，2、检测过放电，3、检测充电时过电电流，4、检测放电时过电电流，5、检测短路时过电电流。
NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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