Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 750mA
Rds（最大）@ ID，VGS 90 mOhm @ 1.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS -
输入电容（Ciss）@ Vds的 125pF @ 5V
功率 - 最大 400mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 0.75 A
RDS -于 90@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 2.5 ns
典型上升时间 1 ns
典型关闭延迟时间 16 ns
典型下降时间 8 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 90@10V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 400
最大连续漏极电流 0.75
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 750mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 90 mOhm @ 1.2A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 400mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 125pF @ 5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MGSF1N02LT1GOSCT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 750 mA
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 90 mOhms
功率耗散 0.4 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23
上升时间 1 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 1 ns
漏极电流（最大值） 0.75 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.09 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_ 漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :750mA
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.075ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.7V
功耗 :400mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
Current Id Max :750mA
Current Temperature :25°C
外部深度 :2.5mm
External Length / Height :1.12mm
外宽 :3.05mm
Full Power Rating Temperature :25°C
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm :2A
SMD Marking :N2
胶带宽度 :8mm
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :1.7V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :2.4V
associated PMV60EN
MGSF1N02LT1G
RE906
