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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel， P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8.5 A， 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms， 45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V， 2 V
Qg-栅极电荷: 9.8 nC， 10.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 8 S， 5 S
下降时间: 5.8 ns， 12.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.2 ns， 4.9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16.6 ns， 28.4 ns
典型接通延迟时间: 3.9 ns， 6.8 ns
单位重量: 8 mg
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