类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon
系列 HEXFET?
包装 卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 330W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss） 30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5890pF @ 15V
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