制造商 ON/安森美
数据列表 HGTG11N120CND
标准包装 450
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 43A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.4V @ 15V，11A
功率 - 最大值 298W
开关能量 950μJ（开），1.3mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 100nC
25°C 时 Td（开/关）值 23ns/180ns
测试条件 960V，11A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr) 70ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳 TO-247-3
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