SQJ459EP-T1_GE3

时间:2020-10-29 10:01:00

SQJ459EP-T1_GE3

製造商: Vishay

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: PowerPAK-SO-8L-4

晶體管極性: P-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續漏極電流: 52 A

Rds On - 漏-源電阻: 18 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V

Qg - 閘極充電: 73 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 83 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

公司名稱: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.04 mm

長度: 6.15 mm

系列: SQ

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 5.13 mm

品牌: Vishay Semiconductors

互導 - 最小值: 40 S

下降時間: 45 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 19 ns

原廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 88 ns

標準開啟延遲時間: 12 ns

每件重量: 506.600 mg

2024-4-27 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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