制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 96 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDP085N10A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
正向跨导 - 最小值: 72 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
包装数量: 800
子类别: MOSFETs
零件别名: FDP085N10A_F102
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