SI2312BDS-T1-GE3
商品详情
技术参数
品牌： VISHAY
型号： SI2312BDS-T1-GE3
批号： 2019+
封装： SOT-23
数量： 320000
工作温度： -55°C~150°C（TJ）
技术： MOSFET（金属氧化物）
FET类型： N沟道
包装： 剪切带（CT） ，带卷（TR）
系列： TrenchFET?
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
安装类型： 表面贴装(SMT)
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 31毫欧@5A，4.5V
功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）
FET功能： -
栅源电压 Vgss： ±8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： -
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC@4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 850mV@250μA
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.9A（Ta）
漏源极电压（Vdss）： 20V
零件状态： 在售
制造商标准提前期： 14 周
湿气敏感性等级（MSL）： 1（无限）
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6月18日消息，昨日深交所互动平台上，有投资者向中兴通讯提问，希望了解5nm工艺芯片方面的进展。中兴方面则透露，公司具备芯片设计和开发能力，7nm芯片已规模量产，并在全球5G规模部署中实现了商用，5nm芯片则正在技术导入阶段。
这意味着我国自研5nm芯片或不再只被掌握在华为一家手里，带给国内半导体行业更多新的希望。
众所周知，中兴、华为在2018年和2019年，先后遭到美国方面的制裁，中兴还受过美方的两次制裁。但不同的是，中兴很多芯片业务原本都是依靠美国公司，处理方式也截然不同，华为最近的进展情况可能大家都很熟悉，那中兴这边又是如何呢？
经历过风波之后，中兴也多次表态会加强自研芯片业务。总裁徐子阳曾在股东大会上表示，加大中兴微电子在芯片领域的研发投入，比如基带芯片、5G传输交换芯片、IP芯片等。这段时间，中兴一直在“埋头苦干”，以至于我们一直将视线放在了华为以及台积电等身上。
中兴能够在5nm方面取得成功，与其研发的高投入是密不可分的。根据中兴副总裁、首席运营官谢峻石的说法，过去三年中兴每年用在研发上的资金高达121亿元。
据悉，这些芯片不是5G SoC（片上系统），而是5G设备和基础设施的核心部分，其中基于5nm的芯片将会带来更高的性能和更低的功耗。中兴总裁徐子阳在最近的一次采访中表示，公司正在开发5nm芯片组，预计5G智能手机的功耗和重量将以每年20％的速度下降，但未透露有关正在开发的芯片的更多细节。
在本月初的“中国5G发牌一周年”线上峰会上，中兴通讯虚拟化产品首席科学家屠嘉顺也表示，基于7nm工艺的多模基带芯片和数字中频芯片成功实现算力提升功耗降低。而明年发布的5nm工艺芯片，那就更值得期待了。
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