数据列表 CSD23202W10;_
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 NexFET?
其它名称 296-40000-2
CSD23202W10-ND
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 53 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.8nC @ 4.5V
Vgs(最大值) -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 512pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-DSBGA(1x1)
封装/外壳 4-UFBGA,DSBGA