NTR4501NT1G ON 20V 80mOhm 1.25W MOSFET-SOT-23优势原装现货
NTR4501NT1G产品详细规格
规格书 NTR4501NT1G datasheet 规格书
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 200pF @ 10V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.2 A
RDS -于 80@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.5 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 3 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 80@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.2
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR4501NT1GOSTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 200pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大漏源电阻 0.08 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.4 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 200 pF V @ 10
宽度 1.3mm
漏极电流(最大值) 3.2 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) ?12 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 1.25 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.08 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 3.2 A
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :80mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :3.2A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :1.2V
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
associated IRLML2502TRPBF
PMV40UN215
IRLML6246TRPBF
展望2020年,台湾电路板协会(TPCA)理事长李长明认为,受惠于5G高频高速通讯的带动,包含PCB的材料、制程、设备,整体供应链都将上升一个档次,如板子面积变大、层数增加、线路变细等,技术增加进而带动产品单价提高,看好5G相关产品持续增加,PCB也会在“质”与“量”上同步成长,预期2020年整体PCB产业产值较今年会持平略为成长。
TPCA表示,2020年全球5G基地建设数量预估达到100~120万座,中国大陆即占有约60~80万座,含盖率逼近10%,除此之外5G智能型手机预估出货量将逼近2亿支,其中衍生的零组件商机十分庞大。
“质”的需求促使高阶产品比重提升,5G应用由基地台建置、5G手机、终端通讯设备到最终各式5G应用场域,由于高频/高速讯号的工作环境,许多装置内的零组件均有规格上的明显升级,例如5G基站内的核心芯片,由于I/O数目及芯片面积大幅增加,高单价的ABF载板取代BT载板;基站天线单价也成长一倍以上。毫米波5G手机仅含PCB、射频元件、AiP(整合型天线封装)、相机模块成本就约100美元。
“量”的增加形成厂商规模经济效益,预计到5G的时代,频段将会从目前4G时代的15个增为30个,每只手机的滤波器会从40个增为70个,Switch开关数量会亦由10个增为30个、PA数目亦会倍数增加、新衍生的AiP天线在手机端有3~5个,通讯设备端则多达20~25个。厂商相继增加资本支出的情形下,愈易形成大厂的规模经济效益。
鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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联系人:姚小姐
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公司部分现货:
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G NTR4501NT1G
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台积电、联电与力晶陆续前往中国大陆设置12吋晶圆厂,目前都还未达经济规模,营运全数亏损。 欧新社资料照
台积电、联电与力晶陆续前往中国大陆设置12吋晶圆厂,目前都还未达经济规模,营运全数亏损。据统计,今年上半年合计亏损近100亿元(新台币,下同)。
瞄准中国大陆市场快速成长商机,台湾晶圆代工厂纷纷前往中国大陆投资12吋晶圆厂;其中,联电是最早前进中国大陆设置12吋晶圆厂的厂商,位于厦门的12吋厂联芯早于2016年第4季便导入量产。
力晶位于合肥的12吋厂晶合随后于2017年10月量产,台积电位于南京的12吋厂于2018年10月量产。
联芯目前月产能1.8万片,以28奈米制程为主;晶合月产能约1.5万至2万片,以90奈米制程技术为主,主要生产面板驱动IC。台积电南京厂制程技术最先进,达16奈米,月产能约1.2万片。
台积电南京厂、联芯与晶合都还未达经济规模,目前营运全数亏损,据台积电、联电与力晶财报资料显示,台积电南京厂上半年亏损22.92亿元新台币,联芯亏损52.34亿元新台币,晶合亏损23.09亿元新台币,合计亏损新台币98.35亿元。
据台积电规划,南京12吋厂今年底月产能将扩增至1.5万片,明年将达到月产能2万片的初步目标。晶合月产能最大可达4万片规模,不过,将视市场实际需求扩产。
联芯则以月产能2.5万片为初期目标,据内部估计,月产能若达到2.5万片规模,便有机会转亏为盈,只是目前尚无扩产至2.5万片的具体时间表。
AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A
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由于公司型号众多,无法一一上传,如在网站找不到您要的产品,请联系业务员,本司可提供电子元器件配单服务。
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