SI2302CDS-T1-GE3

时间:2020-7-17 10:11:00

SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI2302CDS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS) 20V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.6A

Rds(最大)@ ID,VGS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id 850mV @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 5.5nC @ 4.5V

输入电容(Ciss)@ Vds的 -

功率 - 最大 710mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 2.6 A

RDS -于 57@4.5V mOhm

最大门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 8 ns

典型上升时间 7 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

产品种类 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 20 V

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 2.6 A

抗漏源极RDS ( ON) 0.057 Ohms

配置 Single

最高工作温度 + 150 C

安装风格 SMD/SMT

封装/外壳 SOT-23-3

封装 Reel

下降时间 7 ns

最低工作温度 - 55 C

功率耗散 710 mW

上升时间 7 ns

工厂包装数量 3000

零件号别名 SI2302CDS-GE3

最大门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 710

最大漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 57@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 2.6

铅形状 Gull-wing

P( TOT ) 0.71W

匹配代码 SI2302CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 N-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我(D ) 2.6A

V( DS ) 20V

R( DS上) 0.075Ohm

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 850mV @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 710mW

漏极至源极电压(Vdss) 20V

闸电荷(Qg ) @ VGS 5.5nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.057 Ω

最大功率耗散 0.71 W

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5

宽度 1.4mm

RDS(ON) 57 mOhms

漏极电流(最大值) 2.6 A

频率(最大) Not Required MHz

栅源电压(最大值) ?8 V

输出功率(最大) Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.057 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.9A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :57mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :8V

Threshold Voltage Vgs :850mV

功耗 :710mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :2.9A

Junction Temperature Tj Max :150°C

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :850mV

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Voltage Vgs th Max :0.85V

Voltage Vgs th Min :0.4V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

associated SI2302CDS-T1-GE3

EYGA091203SM

天风国际分析师郭明錤发布的最新苹果研究报告指出,苹果iPhone组装复工须至2020年第二季度才会显著改善。

  报告表示,玉晶光2019年下半年独家供货iPhone 11系列的高单价超广角镜头,因iPhone组装复工须至2020年第二季度才会显著改善,玉晶光2月与3月的镜头出货量显著滑落。

  报告指出,苹果2020年下半年推出的iPhone,将采用维持相同设计的超广角镜头,并且为了改善产能利用率,有望改变目前独家供应的局面。

  IT之家此前曾报道,郭明錤表示,如果疫情能在3月显著改善,预计2020年下半年新款iPhone系列今年出货量约为8000万部。

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
2024-5-12 20:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY
18+
QR
9800
一级代理/全新原装现货/长期供应!
VISHAY/威世
21+
SOT23
50000
只做原装,支持实单!
VISHAY
22+
SOT-23
8000
原装正品现货假一罚十
VISHAY/威世
SOT23
7906200
Vishay
23+
SOT23-3
6000
全新原装现货、诚信经营!
VISHAY/威世
21+
SOT23-3
8080
只做原装,质量保证
VISHAY/威世
2024+实力库存
SOT23
1975
只做原厂渠道 可追溯货源
VISHAY(威世)
23+
SOT-23
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY/威世
2122+
SOT-23
500000
原装现货,假一赔十,价格优势