NTR4171PT1GMOS管30VSOT-23百分百进口原装

时间:2019-2-25 10:39:00

NTR4171PT1G MOS管30V SOT-23 百分百进口原装

NTR4171PT1G MOS管30V SOT-23-3 P沟道 优势产品原装现货进口热卖

NTR4171PT1G产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS) 30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.2A

Rds(最大)@ ID,VGS 75 mOhm @ 2.2A, 10V

VGS(TH)(最大)@ Id 1.4V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 15.6nC @ 10V

输入电容(Ciss)@ Vds的 720pF @ 15V

功率 - 最大 480mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 30 V

最大连续漏极电流 3.5 A

RDS -于 75@10V mOhm

最大门源电压 ±12 V

典型导通延迟时间 9 ns

典型上升时间 16 ns

典型关闭延迟时间 25 ns

典型下降时间 22 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±12

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

标准包装名称 SOT-23

最低工作温度 -55

封装 Tape and_Reel

最大漏源电阻 75@10V

最大漏源电压 30

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 SOT-23

最大功率耗散 1250

最大连续漏极电流 3.5

引脚数 3

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.2A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.4V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 75 mOhm @ 2.2A, 10V

FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 480mW

漏极至源极电压(Vdss) 30V

输入电容(Ciss ) @ VDS 720pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS 15.6nC @ 10V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 NTR4171PT1GOSCT

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm

身高 1.01mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 150 mΩ

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 1.25 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V

典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15

宽度 1.4mm

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 P-Channel

源极击穿电压 +/- 12 V

连续漏极电流 - 3.5 A

正向跨导 - 闵 7 S

安装风格 SMD/SMT

RDS(ON) 90 mOhms

功率耗散 1.25 W

封装/外壳 TO-236

上升时间 16 ns

漏源击穿电压 - 30 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 22 ns

漏极电流(最大值) 3.5 A

频率(最大) Not Required MHz

栅源电压(最大值) ?12 V

输出功率(最大) Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.075 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 30 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :-3.5A

Drain Source Voltage Vds :-30V

On Resistance Rds(on) :0.05ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V

Threshold Voltage Vgs :-1.15V

功耗 :1.25W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)

Weight (kg) 0.000033

Tariff No. 85412900

associated RE906

80-4-5

香港鑫锐保证原装进口现货

鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌),一站式终端厂家配套:(质量保证诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

QQ:3373563833

地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B

公司网址:www.xrdz-hk.com

公司部分现货:

TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等

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据《日刊工业新闻》未说明消息来源报道称,松下正在与特斯拉安排从美国内华达的超级电池工厂向特斯拉上海工厂供应锂离子电池。

  到目前为止,松下为特斯拉全面供应电池,如果其他公司介入,预计有风险;松下旨在利用现有的超级电池工厂,来减少所需的新投资。

  特斯拉尚未说明上海工厂的电池供应方,将寻求多源供应商。一旦上海工厂的生产步入正轨,松下计划转向在本地生产电池。

  特斯拉和松下可能需要获得美国政府的批准,才能向中国出口电池。

  此前的1月8日,特斯拉首家海外工厂在上海正式开工建设。电视的产能规模。

  在加快走出去的同时,创维等电视厂商近年来也持续遭遇来自互联网企业的跨界冲击,电视产品均价持续下滑,同质化也日益严重。

  王志国认为,行业出现跨界挑战者的原因之一在于电视的供应链没有门槛,创维将为全球客户提供大屏AIOT智能解决方案。

美元,其中高通控制着59.6%。

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P?CHANNEL MOSFET

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友台友台半导体

UMW

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

Power MOSFET ??0 V, ??.5 A, Single P??hannel, SOT??3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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2024-4-30 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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