SI2300DS-T1-GE3 单N沟道 30 V 68 mΩ 3 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
SI2300DS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 320pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.1 A
RDS -于 68@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 11 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 68@4.5V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1100
最大连续漏极电流 3.1
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate， 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.6A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.5V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 30V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 68 mOhm @ 2.9A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
输入电容（Ciss ） @ VDS 320pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 10nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2300DS-T1-GE3CT
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 3.6 A
正向跨导 - 闵 13 S
RDS（ON） 55 mOhms
功率耗散 1.7 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-236
零件号别名 SI2300DS-GE3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 6.5 nC
栅源电压（最大值） ?12 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :3.6A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.055ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :600mV
功耗 :1.7W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
5月11日消息，据外媒报道，美国白宫正在与英特尔和台积电等芯片制造商谈判，试图说服他们在美国建厂生产更多更先进的芯片，此举最终可能导致苹果的部分A系列芯片在美国国内生产。
据悉，唐纳德·特朗普(Donald Trump)政府热衷于在美国建设新的芯片代工厂，以减少在关键技术上对亚洲工厂的依赖。新型冠状病毒疫情引发的问题证明了存在供应链中断的可能性，这促使美国官员们再次尝试说服公司将部分生产转移到美国。
美国政府官员正在与英特尔和台积电就在美国境内建设新工厂进行谈判。虽然英特尔的部分芯片生产确实已经在美国进行，但谈判的中心是说服该公司扩大在美国生产，而台积电则被希望建造其第一家美国芯片工厂。
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018年的iPhone，遭遇了最近几年里最大的挫折，创新不足和售价过高，成了苹果最被诟病的地方。2019款新iPhone，曾被视作是苹果的翻身之战，但“致创新”的发布会、审美倒退的三摄外观和依然高昂的价格，都引发了新一轮的嘲讽和不满。
iPhone 11、iPhone 11 Pro和iPhone 11 Pro Max是苹果今年交出的答卷，我们已经拿到了其中最贵的一款。它能拿到多少分？我们体验后再来给答案。
外观：精致的丑
从iPhone 6时代开始放飞自我后，我们已经不再相信苹果在手机上的审美了。iPhone 11 Pro给我的感觉尤其不妙，后置三摄呈现三角排列，在平整的后盖上显得尤为突兀。语言是苍白的，真实体验后，我想很少会有人对iPhone 11系列的外观感到满意吧。
有趣的是，和浴霸三摄的丑出天际相对应的，iPhone 11 Pro Max的做工很精致，机身设计的整齐划一、不同部件衔接处的严丝合缝，这些以往苹果产品上的优点全盘保留了下来。如果只盯着它的某一处细节看，的确还是有一种赏心悦目的感觉。
性能续航都很强，充电及格了
1、A13很强，但优势暂时还发挥不出来
历代iPhone中，唯一能不让人失望的应该就是芯片的性能表现，常年都能对同时代的安卓旗舰处理器形成碾压之势。简单回顾一下，iPhone 11系列上的A13芯片，依然是2颗大核+4颗小核的架构，大小核性能提升了20%，功耗则分别降低了30%和40%。
我们用iPhone 11 Pro Max在安兔兔中跑了个分，最后的成绩是448770分，在众多iOS设备中名列前茅，但总成绩相比两款采用A12X芯片的iPad Pro相比还是略微逊色，主要还是在GPU上拖了后腿。
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