数据列表 FDMC6675BZ;_ 标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 PowerTrench?
其它名称 FDMC6675BZTR
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A(Ta),20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14.4 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2865pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳 8-PowerWDFN