TLVH431AQPK 电源管理IC 1.24V to 18V 70mA原装正品
TLVH431AQPK 电源管理IC V-Ref Adjustable 1.24V to 18V 70mA 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ti
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1，000
Reference 型 Shunt， Adjustable， Precision
Voltage - 输出功率 1.24 V ~ 18 V
公差 ±1%_
温度系数 -
Voltage - 输入 1.24 V ~ 18 V
频道数目 1
电流 - 阴极 100μA
电流 - 静态 -
Current - 输出功率 70mA
操作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 SOT-89-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-89
参考类型 Adjustable
拓扑结构 Shunt
输出电压 1.24 to 18 V
最大输入电压 20 V
初始精度 1 %_
工作温度 -40 to 125 °C
最大输出电流 70 mA
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOT-89
标准包装名称 SOT-89
最高工作温度 125
包装宽度 2.5
包装高度 1.5
输出电压 1.24 to 18
最大输入电压 20
封装 Tape and_Reel
欧盟RoHS指令 Compliant
标签 Tab
PCB 3
包装长度 4.5
最低工作温度 -40
引脚数 4
铅形状 Flat
电流 - 阴极 100μA
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 SOT-89-3
电压 - 输出 1.24 V ~ 18 V
电流 - 输出 70mA
通道数 1
温度系数 138ppm/°C
电压 - 电压 1.24 V ~ 18 V
容差 ±1%_
其他名称 296-18621-2
封装/外壳 TO-243AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品 Voltage References
产品种类 Voltage References
分流电流 - 最小 80 uA
系列 TLVH431A
封装/外壳 SIP-3
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 40 C
最高工作温度 + 125 C
串联VREF - 输入电压 - 最大 20 V
RoHS RoHS Compliant
分流电流 - 最大电流 80 mA
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 SOT-89
参考电压精度（最大值） 1
工作温度分类 Automotive
输入电压 20 V
输出电压（最大值） 1.24 to 18 V
固定/调整/课程 Adjust
弧度硬化 No
在4G LTE蜂窝基站后期部署中，普遍采用大规模多路输入、多路输出(MIMO)无线电技术，特别是在密集的城市地区，小型蜂窝有效地填补了蜂窝覆盖的空白，同时提高了数据服务速度。此架构的成功清楚印证了其价值。因为这种架构本身具备所需的频谱效率和传输可靠性，它将成为新兴的5G网络无线电的首选架构。让5G变成现实的挑战在于，设计人员必须大幅增加同时在多个频段运行的收发器通道的数量，同时将所有必要的硬件压缩整合到与前一代设备同样大小或更小的空间中。
这样做意味着：
u 通道越多，基站内外的射频功率就越高，如此会加剧相互无干扰的通道之间隔离的问题。
u 为了在高功率信号下保持可靠性，接收器前端组件必须提高动态范围性能。
u 解决方案的尺寸非常重要。
u 随着电子设备和发射器功率不断增加，必须解决热管理问题。
为了寻求更高的数据速率来支持各种无线服务和不同的传输方案，系统设计人员面临着电路更复杂，同时必须满足类似的尺寸、功率和成本预算的境况。在基站塔中增加更多收发通道可以获得更高的吞吐量，但在更高的射频功率等级上实现每个通道，与将系统的复杂度和成本保持在可接受的水平一样重要。为了实现更高的射频功率，硬件设计人员在射频前端设计中没有太多选择，而是依赖于需要高偏置功率和复杂外设电路的传统解决方案来实现，这使得实现设计目标时更加困难。
ADI公司最近推出适合时分双工(TDD)系统的多芯片模块，其中集成低噪声放大器(LNA)和高功率开关。ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549系列涵盖1.8 GHz至5.3 GHz蜂窝频段，针对M-MIMO天线接口进行了优化设计。该全新系列器件通过硅工艺集成高功率开关以及GaAs工艺集成高性能低噪声放大器，兼具高射频功率处理能力和高集成度，无需牺牲任何一方面——可谓两全其美。
双通道架构
M-MIMO RF前端设计的ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549应用框图如图1所示。该器件通道中集成高功率开关和两级LNA。在收发器以接收模式运行期间，开关将输入信号路由至LNA输入。在发射模式期间，输入路由至50 Ω端电极，以确保与天线接口正确匹配，并将LNA与天线的任何反射功率隔离。集成式双通道架构允许设计人员轻松扩展MIMO，使其超过传统设备8×8(8发射器×8接收器)配置的限制，达到16×16、32×32、64×64，甚至更高。
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AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、SGM2036-3.3YUDH4G/TR等等
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鑫锐电子（香港）是一家专业从事集成电路配套的供应商，在本行拥有多年的销售经验！
备有大量现货库存，诚信为本，客户至上，为客户把产品的质量关！
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香港鑫锐保证原装进口现货
根据《工作意见》，徐州将全力推动装备与智能制造、新能源、集成电路与 ICT、生物医药与大健康这四大战略性新兴产业扩规模、上台阶、提质态，加快形成新的经济增长极，努力打造国内具有重要影响力和强大竞争力的四大战略性新兴主导产业创新集群。
其中，集成电路产业为本次重点解读的对象。
根据产业发展规划，到2021年，四大战略性新兴主导产业产值力争达到 2350 亿元左右，其中集成电路与ICT产业产值力争达到200亿元。
徐州有奖集成电路与ICT产业又划分5个方向主攻方向，分别为集成电路材料、集成电路设备、第三代半导体材料器件、集成电路封测及制造、软件和IT服务。
徐州市工业和信息化局副调研员庞锋汉在会上表示，近年来，徐州市大力发展集成电路和ICT产业，主要有以下特点。一是材料和设备取得突破，鑫华半导体级多晶硅打破国际垄断，博康193um、248um光刻胶填补国内空白，鑫晶半导体大尺寸硅片项目建成后将成为亚洲第一、全球第三的大硅片生产基地。光刻机、刻蚀机等半导体设备实现量产，并拥有自主知识产权。二是总体规模不断扩大，2018年，徐州市电子信息制造业109家，软件和信息技术服务业91家，电子信息制造业实现主营业务收入322亿元。三是产业结构不断优化，邳州市初步形成了集成电路材料和设备产业链。徐州经济技术开发区形成了材料、设备、封测、应用集群。徐州高新区引进易华录数据湖、超元半导体等企业，进一步完善了产业链。四是集聚效应不断增强，凤凰湾电子信息产业园、天拓集成电路装备产业园、邳州半导体材料装备产业园、高新区电子信息产业园等一批专业园区快速兴起。
据悉，下一步，徐州将绕促进集成电路与ICT产业高端化、规模化、集约化的发展思路，主攻集成电路材料、集成电路设备、第三代半导体材料器件、集成电路封测及制造、软件和IT服务五大重点领域，打造成为全球领先的半导体大硅片制造基地、全国重要的集成电路设备生产基地和封测产业新高地。
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