ATO25D1GA-10ED ： FLASH存储器。公司优势库存。
特征
一般
串行外设接口
?模式0和模式3
标准，四路SPI
?标准SPI：SCLK，CS＃，SI，SO
?四路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，
SIO2 / W＃，SIO3 / Hold＃单电源运行
?整个电压范围：2.7V至3.6V读取，擦除
和程序操作
组织
?存储单元阵列：（128M + 4M）x字节
数据寄存器：（2048 + 64）x字节
自动编程和擦除
?页面程序：（2048 + 64）x字节?块擦除：（128K + 4K）x字节=
64页
页面读取操作
?页面大小：（2048 + 64）字节
?页面读取（单元阵列到页面缓冲区）：
25us（最大）
?串行页面访问：104MHz，
133MHz的（CL = 15pF）
快速写周期
?编程时间：200us（Typ。）
?块擦除时间：2ms（Typ。）
电子识别
?JEDEC标准的1字节制造商ID和1字节设备ID。
回写程序操作
?无需外部的快速页面复制
缓冲
安全功能
?OTP区域，16K字节（8页）
?
硬件数据保护
?上电期间编程/擦除被锁定
过渡。 ?W＃引脚与
状态寄存器位保护
指定的存储区。状态
寄存器块保护位（BP2，
状态寄存器中的BP1，BP0）配置
部分内存为只读
数据的完整性
?续航力：100K编程/擦除
周期数
数据保存期限：10年
错误管理
?内部ECC代码生成
?1bit / 528字节ECC，1NOP / 528字节
包
?8片8x6 WSON
?16引脚SOIC 3亿
一般说明
ATO25D1GA是1G位，具有32Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电
供应。其NAND单元为固态海量存储提供了最具成本效益的解决方案
市场。存储器分为多个块，可以独立擦除，因此可以
在删除旧数据的同时保留有效数据。该设备包含1024个块，由
64页，由32个串联的闪存单元的两个NAND结构组成。一个程序
可以在2048字节的典型200us上执行操作，并且可以执行擦除操作。
在128K字节的块上以2ms的典型时间执行。页面中的数据可以在25ns时读出
每个字节的循环时间。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能
包括必要时的脉冲重复以及内部验证和数据余量。甚至
写密集型系统可以利用ATO25D1GA扩展的可靠性
通过实时提供ECC（纠错码）来进行100K编程/擦除周期
映射算法。
?ATO25D1GA具有串行外设接口和允许操作的软件协议
处于单一I / O模式时在简单的3线总线上运行。这三个信号是时钟输入（SCLK），
串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过以下方式启用对设备的串行访问
CS＃输入。处于四个I / O读取模式时，SI引脚，SO引脚，WP＃引脚和HOLD＃引脚
成为地址/虚拟位输入和数据输出的SIO0引脚，SIO1引脚，SIO2引脚SIO3引脚。
复制功能可以优化缺陷块管理：
程序操作失败，数据可以直接在同一页的另一页中编程
数组部分，无需耗时的串行数据插入阶段。 ATO25D1GA是
大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和
其他要求非易失性的便携式应用。
?发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法
编程/擦除并确认将执行指定的页面或扇区/块位置。取决于
一次可以编程2 KB。可以以128KB的擦除组擦除页面。至
为用户提供方便的界面，其中包括一个状态寄存器以指示用户的状态
芯片。可以发出状态读取命令来检测程序的完成状态或
通过OIP位进行擦除操作。先进的安全功能增强了防护和安全性功能
