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NE4210S01中文资料

厂家型号

NE4210S01

文件大小

65.23Kbytes

页面数量

16

功能描述

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Renesas Electronics America

简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NE4210S01产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE4210S01

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-4-30 11:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司

中文资料: 17107条

瑞萨电子公司(英文:RenesasElectronicsCorporation),为NEC电子以及瑞萨科技合并后所成立的新公司。于2009年9月16日签定**终协议,以NEC电子为存续公司,与瑞萨科技进行合并。 NEC公司总部位于日本东京,是全球五大电脑制造商之一,也是为数不多的能够在半导体、电子器件、通讯、计算机外设、图像和计算机领域提供全线产品的公司之一。公司在全球共有38个分公司,负责产品的生产和销售。 NEC电子公司(TSE:6723)是2002年从NEC分离之半导体子公司,专精于半导体产品,和应用领域,包括“高阶电脑与宽频网络市场之先进技术解决方案”、“手机、个人电脑周边、汽