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NRVBD660CTT4G	Switch-modePowerRectifiersDPAK-3SurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitching powersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •NRVBDandSBRVPrefixesforAutomotiveandOtherApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NRVBD660CTT4G	封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NRVBD660CTT4G	Switch-modePowerRectifiers 文件：73.01 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NRVBD660CTT4G	SWITCHMODEPowerRectifiers 文件：112.1 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRD660CTT4	SWITCHMODEPowerRectifiers Switch-modePowerRectifiers DPAK−3SurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •N	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NRVBD660CTT4G产品属性

类型
描述
型号
NRVBD660CTT4G
功能描述
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
配置
Crossover Quad
正向电压下降
370 mV
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOT-143
封装
Reel

NRVBD660CTT4G供应商更多...

更新时间：2024-4-19 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	NRVBD660CTT4G	ON	2020+	TO-252	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NRVBD660CTT4G	ON/安森美	23+	NA/	8250	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市纳立科技有限公司	NRVBD660CTT4G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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联系人张生电话19926428992QQ1924037095
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NRVBA130LNT3G
参数参数值包装标准卷带系列汽车级，AEC-Q101 零件状态有源二极管类型肖特基电压-DC反向（Vr）（最大值） 30V 电流-平均整流（Io） 1A 不同If时的电压-正向（Vf 410mV@1A 速度快速恢复=200mA（Io）反向恢复时间（trr）快速恢复=200mA（Io）不同Vr时的电流-反向漏电流 1
2021-10-12

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