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NE5550979A价格

参考价格：￥45.2949

型号：NE5550979A-A 品牌：CEL 备注：这里有NE5550979A多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE5550979A批发/采购报价，NE5550979A行情走势销售排行榜，NE5550979A报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
NE5550979A	SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=39.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE5550979A	SiliconPowerLDMOSFET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages	CEL California Eastern Laboratories
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NE5550979A	SiliconPowerLDMOSFET 文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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NE5550979A-EV04-A	包装：盒描述：EVAL BOARD NE5550979A 开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板	CEL California Eastern Laboratories
NE5550979A-EV09-A	包装：盒描述：EVAL BOARD NE5550979A 开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板	CEL California Eastern Laboratories
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NE5550979A产品属性

类型
描述
型号
NE5550979A
制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述
SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET ROHS DIRECTIVE COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled
制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述
Pout 39.5dBm PAE 66% Gain 22dB

NE5550979A供应商更多...

更新时间：2024-4-24 21:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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