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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE5550979A-T1

SiliconPowerLDMOSFET

FEATURES •HighOutputPower:Pout=39.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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SiliconPowerLDMOSFET

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CEL

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SiliconPowerLDMOSFET

FEATURES •HighOutputPower:Pout=39.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=

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封装/外壳：79A 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

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NE5550979A-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5550979A-T1

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG

  • 制造商

    California Eastern Laboratories

  • 功能描述

    Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R

NE5550979A-T1供应商更多...

更新时间：2024-4-25 19:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
易创佳业科技（深圳）有限公司
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RENESAS/Renesas Electronics Am
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Renesas
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NE5550979A-T1-A其他被动元件
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