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NE5550779A-T1-A

SiliconPowerLDMOSFET

FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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California Eastern Laboratories

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封装/外壳:4-SMD,扁平引线 包装:托盘 描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f

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FEATURES •HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) •HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f

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NE5550779A-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5550779A-T1-A

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    SILICON POWER LDMOS FET ROHS COMPLIANT - Tape and Reel

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG

更新时间:2024-4-24 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
79A
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
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NA
6784
正品原装--自家现货-实单可谈
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
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原厂渠道,现货配单
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1010+
CAN
700
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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26261
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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