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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE5550279A-T1 | SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=33.0dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=68TYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •HighLineargain:GL=22.5dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NE5550279A-T1 | SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  | |
SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=33.0dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=68TYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •HighLineargain:GL=22.5dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE5550279A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550279A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
SILICON P-CHANNEL LOW NOISE MOS ROHS COMPLIANT - Tape and Reel
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
48700 |
正品授权货源可靠 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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