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APTGF50VDA120T3G中文资料

厂家型号

APTGF50VDA120T3G

文件大小

248.91Kbytes

页面数量

7

功能描述

Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Microsemi Corporation

简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

LOGO

APTGF50VDA120T3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APTGF50VDA120T3G

  • 功能描述

    POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2024-5-15 14:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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APTGF50VDA120T3G 价格

参考价格:¥260.0621

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  • MITSUMI

Microsemi Corporation 美高森美公司

中文资料: 92512条

MicrosemiCorporation(纳斯达克股票代码:MSCC)为航空航天与国防、通信、数据中心以及工业市场提供全面的半导体解决方案产品组合。公司产品包括:高性能、抗辐射、模拟式混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC,电源管理产品,定时和同步器件以及精密时间解决方案(确立了全球时间标准),语音处理器件,射频解决方案,分立式元器件、企业存储和通信解决方案,安防技术和可扩展防篡改产品,以太网解决方案,以太网供电IC和中跨,以及定制设计能力和服务。Microsemi总部设于美国加利福尼亚州AlisoViejo,全球员工总数约4,800人。