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APT5085AN	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT5085BN	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT5085BNR	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT5085CN	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
5085	BNCShortingCap(M) 文件：22.23 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics

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更新时间：2024-4-24 17:32:03

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深圳市特顺芯科技有限公司	APT5085BN				1100		询价
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