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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SingleResistorGainProgrammable,PrecisionInstrumentationAmplifier 文件：426.87 Kbytes Page：20 Pages | LINERLinear Technology 线性技术公司 |  |   | |
SingleResistorGainProgrammable,PrecisionInstrumentationAmplifier 文件：304.39 Kbytes Page：20 Pages | LINERLinear Technology 线性技术公司 | | |
LT1167AIN8#PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1167AIN8#PBF
- 功能描述
IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-DIP
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
- 系列
-
- 标准包装
150
- 系列
-
- 放大器类型
音频
- 电路数
2
- 输出类型
-
- 转换速率
5 V/µs
- 增益带宽积
12MHz
- -3db带宽
- 电流 -
- 输入偏压
100nA 电压 -
- 输入偏移
500µV 电流 -
- 电源
6mA 电流 -
- 输出/通道
50mA 电压 -
- 电源，单路/双路(±)
4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装
8-TSSOP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
23+ |
PDIP-8 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
LINEAR |
23+ |
DIP8 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
LINEAR |
21+ |
DIP8 |
9999999 |
原装正品现货/订货价格优惠可开票 |
|||
23+ |
N/A |
65210 |
正品授权货源可靠 |
||||
ADI |
24+ |
8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch) |
4041 |
十年信誉,只做全新原装正品现货,以优势说话 !! |
|||
ADI/亚德诺 |
21+ |
PDIP-8 |
9990 |
只有原装 |
|||
LINEAR |
23+ |
DIP8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ADI-亚德诺 |
24+25+/26+27+ |
DIP-8.直插 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ADI/亚德诺 |
22+ |
PDIP-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
LINEAR/凌特 |
20+ |
DIP-8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
LT1167AIN8#PBF芯片相关品牌
LT1167AIN8#PBF规格书下载地址
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- LT117
- LT1169
- LT1168I
- LT1168C
- LT1168
- LT1167IN8#PBF
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- LT1167CS8-1#TRPBF
- LT1167CS8-1#PBF
- LT1167CS8#TRPBF
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LT1167AIN8#PBF数据表相关新闻
LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1172CS8
SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器
2021-11-17LT1172IS8原装现货热卖
LT1172IS8开关稳压器1.25APwrSwReg100kHz
2021-2-3LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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